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本发明提供了一种SONOS存储器的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包含第一区域与第二区域，所述第一区域用于形成SONOS存储器；在所述衬底上依次形成第一氧化物层、中间氮化物层和第二氧化物层，组成ONO膜层；在所述ONO膜层以及部分所述衬...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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