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本发明涉及一种镁合金的生产工艺，该生产工艺以氧化镁或者碳酸镁含量的质量百分比大于９８％的纯菱镁矿为原料，采用金属阴极，石墨为阳极，电解质体系由ＭｇＦ↓［２］和碱金属或碱土金属的氯化物和氟化物组合而成，在温度７２０～９２０℃下，向电解槽中补充...
该专利属于杨少华;邱竹贤所有，仅供学习研究参考，未经过杨少华;邱竹贤授权不得商用。

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