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本发明涉及单阈值CMOS器件六管SRAM单元上电定值输出方法，通过调节晶体管参数来确定SRAM单元上电后的初值，确保电路的状态的稳定性，增强电路的可靠性的设计。本发明可以实现CMOS器件六管结构的SRAM单元伴随电源上电而确定固定初始态的作...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十七研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十七研究所授权不得商用。

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