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本发明提供一种InP基纳米光栅及其制作方法，包括：在InP基晶圆上生长SiNx膜；依次旋转涂覆抗反射涂层、光刻胶层，并通过位相掩膜曝光和显影方法在光刻胶层上形成光栅图形；采用二次曝光和显影方法，去除InP基晶圆边缘的光刻胶并擦拭掉InP基晶...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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