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本发明提供一种半导体衬底，其特征在于，具备：基板；缓冲层，其设置于前述基板上并且由氮化物半导体构成；以及，沟道层，其设置于前述缓冲层上并且由氮化物半导体构成；其中，前述缓冲层包含：第一区域，其设置于前述基板侧，所述第一区域的硼浓度比受体元素...该专利属于三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司授权不得商用。
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