温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种抑制了电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与上述自立基板邻接的缓冲层、与上述缓冲层邻接的沟道层、和夹着上述沟道层而设置在与上述缓冲层相反一侧的势垒层，上述缓...
该专利属于日本碍子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本碍子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。