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本发明涉及测量多层半导体结构体的第一层的厚度变化的方法，其包括：‑用图像采集系统采集所述结构体的表面的至少一个区域的图像，所述图像通过在所述结构体的表面的所述区域上反射准单色光通量而获得；‑处理所述采集的图像以便由表面的所述区域反射的光的强...
该专利属于索泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过索泰克公司授权不得商用。

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