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本实用新型提出一种RF MEMS滤波器,包括:硅衬底或者压电基板;沉积在所述硅衬底上的压电薄膜;沉积于压电基板或者压电薄膜上的金属电极;填充于金属电极之间的绝缘层,以及沉积于金属电极和绝缘层上的压电层,以此实现声表面波(SAW)滤波;沉积于...该专利属于杭州左蓝微电子技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州左蓝微电子技术有限公司授权不得商用。
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本实用新型提出一种RF MEMS滤波器,包括:硅衬底或者压电基板;沉积在所述硅衬底上的压电薄膜;沉积于压电基板或者压电薄膜上的金属电极;填充于金属电极之间的绝缘层,以及沉积于金属电极和绝缘层上的压电层,以此实现声表面波(SAW)滤波;沉积于...