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一种制造GaN基显示屏的方法，在350～500度下生长GaN层，气压五到七百mBar，V/III为两千到五千，生长速率为3～15nm/分，在450～500度下生长N型GaN层，气压两百到四百mBar，V/III为六千到一万，生长速率0.5～...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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