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本发明涉及一种基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法，属于光电探测器领域。本发明是通过化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长GaN纳米线阵列，然后在GaN纳米线阵列上沉积一层Pt纳米颗粒，最后利用光刻技术在单根沉积有Pt纳...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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