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本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括超晶格缓冲层，超晶格缓冲层为包括N个周期的超晶格结构，每个周期的超晶格结构包括层叠设置在衬底上的第一子层、第二子层和第三子层，通过在第一子层中掺入Al可以缓...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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