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文档序号:18117596
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提供半导体装置。本发明具有:第1导电型的第1半导体区域;第2导电型的第2半导体区域,其配置于第1半导体区域的上方;第1导电型的第3半导体区域,其配置于第2半导体区域的上方;第2导电型的第4半导体区域,其配置于第3半导体区域的上方;绝缘膜,其...
该专利属于三垦电气株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三垦电气株式会社授权不得商用。
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