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本发明提供一种半导体器件及半导体器件的制造方法。所述方法包括：提供包含核心电路的衬底，在所述衬底上形成有梳状顶部金属层，所述梳状顶部金属层与核心电路导电连接；在所述梳状顶部金属层上形成钝化层，在所述钝化层中形成露出部分所述顶部金属层的开口；...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。