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用等离子化学沉积系统制备纳米硅薄膜的方法，首先启动抽真空系统将反应室内真空度达到２×１０↑［－３］乇，打开电炉加热，衬底温升到一定温度，将纯度为９９. ９９９％的氢气注入反应室内，打开Ｒ. Ｆ交流电源，保持反应室内为２×１０↑［－３］乇真空...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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