温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的等离子处理设备适宜用较高淀积速率使基片涂敷出具有防潮性能之薄膜。该设备包括一个易抽空的空腔，在该空腔内限定一个面向等离子体的表面的供电电极，和一个与该面向等离子体表面横向间距为Δ的护罩。在等离子处理期间，等离子体被约束在距离Δ范围内...
该专利属于维美德总公司所有，仅供学习研究参考，未经过维美德总公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。