温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种低应力超厚氮硅化合物薄膜沉积方法。源为氩气稀释的ＳｉＨ↓［４］，浓度为１－３０％；硅烷的流量为１．５－６Ｌ／ｍｉｎ；氨气的流量为０．０１－０．２Ｌ／ｍｉｎ；生长温度为７５０℃－１０００℃；硅烷和氨气的比例为２５∶１－１２０∶１；真空系统...
该专利属于中国科学院电子学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院电子学研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。