温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明揭示了一种LED芯片及其制备方法，LED芯片包括衬底，衬底包括中间区域及边缘区域，中间区域由下向上依次包括第一N型GaN层、第一MQW有源层及第一P型GaN层，边缘区域由下向上依次包括第二N型GaN层、第二MQW有源层及第二P型GaN...
该专利属于聚灿光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。