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公开了一种用于制造半导体裸片的方法。所述方法包括：提供包括切割区域的晶片衬底，在所述切割区域外提供第一刻蚀停止材料，以及将晶片衬底向下朝着所述第一刻蚀停止材料刻蚀。还公开了一种半导体装置芯片。所述半导体装置芯片包括具有半导体装置的装置层和支...
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