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本发明揭露了一种通过引入特定比率的钨前体及氮源至反应室中及随后通过金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）在给定温度下沉积于半导体基板上以形成氮化钨膜的方法，其中该氮源是联氨衍生物。依据该方法，即使在低温下使用小量的氮源亦能够形成具有足够厚度的氮...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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