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一种动态随机存储器及其形成方法，其中动态随机存储器的形成方法包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构和层间介质层，所述栅极结构两侧的基底中分别具有源漏掺杂区，所述层间介质层位于栅极结构、基底和源漏掺杂区的表面；在所述层间介质层中形成第一开口，...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。