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本发明公开一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器及其制备方法，该石墨烯红外传感器包括硅片，部分的硅片上方具有绝缘层，绝缘层的上方具有电极层，当选择具有二氧化硅层的硅片时，则直接于部分的硅片上方形成电极层，部分的电极层以及部分的硅片...
该专利属于香港生产力促进局所有，仅供学习研究参考，未经过香港生产力促进局授权不得商用。

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