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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构的两侧分别具有相对的第一侧和第二侧；在所述栅极结构第一侧的衬底中形成第一凹槽；在所述第一凹槽邻近所述栅极结构的侧壁表面形成第一阻挡...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。