温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及在主动区上方具有气隙间隔件与栅极接触的基于晶体管的半导体装置，其中，一种半导体结构包括半导体衬底、在该半导体衬底上的半导体鳍片、与该半导体鳍片整合在其顶部的晶体管，该晶体管包括主动区，该主动区包括源极、漏极以及在源极、漏极之间的沟...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。