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本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,该制作方法包括下述步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底至少包括存储单元器件区,在所述存储单元器件区的半导体衬底上形成由存储单元组成的存储阵列;在所述半导体衬底上形成初始层间介电层、第一层间介电...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。