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本发明提供一种存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法，其中，存储器结构包括：第一下拉晶体管，所述第一下拉晶体管具有第一沟道宽度；第二下拉晶体管，所述第二下拉晶体管具有第三沟道宽度；第一传输晶体管，所述第一传输晶体管具有第二沟道宽度；...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。