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一种半导体结构及其制造方法，方法包括：提供具有底层互连结构的基底；在基底和底层互连结构上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成介电层；在介电层上形成硬掩膜层；形成覆盖硬掩膜层的通孔图形层；以通孔图形层为掩膜刻蚀部分厚度介电层形成初始通孔；去除通...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。