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本发明提供一种可绕一溅射靶材（１６）后方的一中心轴（６０）旋转的双位置磁控管（５０），尤其用于将一阻挡材料的靶材的一边缘溅射在一晶片（１８）上，并清洁再沉积在靶材中心处的材料。在靶材清洁期间，晶片偏压会被降低。在一实施例中，一弧形磁控管（１...
该专利属于应用材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。

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