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气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法技术
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文档序号:1803851
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气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法,首先在等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)系统中衬底硅表面分别进行氩气(Ar)等离子体和氢气(H↓[2])等离子体的预处理,在衬底硅表面形成硅纳米环的成核中心;然后,在PECVD系统中原位周期性交...
该专利属于南京大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京大学授权不得商用。
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