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本发明公开了一种气相沉积材料生长和成型的方法与装置。该方法包括步骤：１）通入工作气体；２）入射一束激光到衬底表面建立离化通道；３）在置于光路上的针尖电极上加一正高压；４）确定起始生长位置，开始气相沉积过程；５）使柱状放电按设定模式扫描；６）...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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