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本实用新型涉及一种磁电存储器存储单元结构，包括磁电材料层、上电极层、端电极层、衬底层；所述磁电材料层包括铁电‑反铁磁材料层、设置于铁电‑反铁磁材料层下面的铁磁材料层、所述铁磁材料层中间设置有绝缘层、所述铁磁材料层下端与衬底层相连；所述上电极...
该专利属于江西科技学院所有，仅供学习研究参考，未经过江西科技学院授权不得商用。

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