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本发明公开了制备大面积双面铊系薄膜的退火方法，包括采用数块相同厚度、与双面前驱薄膜的基片具有相同材料和晶体取向的单晶体小块，上下对称地将两块形状相同并经高温固态反应烧结的铊源与一片待退火的具有双面前驱薄膜的样品在垂直方向上等距离分开，所述前...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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