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本发明揭示一种掺杂氮化硅薄膜的低温沉积方法及装置。所改善者包含ＣＶＤ反应室的机械设计（其可以提供低温制程均匀的热分布和制程化学品的均匀分布），以及在一基材上沉积至少一层含有硅和氮的沉积层的方法，其中该方法是藉由加热一基材、通入一含硅前驱物至...
该专利属于应用材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。

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