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本发明涉及一种蓝光和紫外光LED芯片的制备方法，该制备方法包括：(a)选取蓝宝石衬底；(b)在所述蓝宝石衬底上表面制作蓝光外延层；(c)在所述蓝光外延层中制作紫外光灯芯槽；(d)在所述紫外光灯芯槽中制作紫外光外延层；(e)在所述蓝光外延层与...
该专利属于西安智盛锐芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安智盛锐芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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