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本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法。所述半导体功率器件包括有源区及位于所述有源区外围的终端结构，所述终端结构包括分压区域，所述分压区域包括N型衬底、位于所述N型衬底上方的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的P型注入区、及介质材料，其...
该专利属于深圳市晶特智造科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶特智造科技有限公司授权不得商用。

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