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本发明涉及半导体技术领域，提供一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法，其中制备方法，包括：在第一衬底上依次形成牺牲层、半导体功能层，形成第一组件；将第二衬底划分为光波导区和键合区，在所述光波导区上形成光波导结构，在所述键合区形成对准组件；...
该专利属于苏州矩阵光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州矩阵光电有限公司授权不得商用。

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