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本发明公开了一种GaN‑HEMT与Si‑CMOS单片集成的方法，其步骤如下：清洗Si‑CMOS圆片和临时载片表面，并进行临时键合；将Si‑CMOS衬底进行减薄抛光；在Si‑CMOS背面刻蚀出互联通孔；通孔中生长介质层并刻蚀出互联窗口；在通孔...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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