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本发明公开了一种基于交叉点阵列的阻变存储器的写入方法，属于信息存储领域。本发明方法通过动态地选择最短的电压降路径来提升有效电压，降低写入延迟；通过一种区域划分方式来缩小各个区域内的写入延迟差异，以减小各个区域的写入延迟，同时保证了单元级并行...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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