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本公开涉及单片半导体器件和半导体器件。本实用新型要解决的一个技术问题是提供改进的单片半导体器件和改进的半导体器件。该单片半导体器件包括衬底，所述衬底具有部分地延伸通过所述衬底的开口；形成在所述开口内的半导体材料；形成在所述半导体材料内的功率...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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