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本发明涉及一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法。该装置包括半导体激光器、XRD分析仪、具有成分梯度分布的薄膜样品以及场发射扫描电子显微镜。采用双靶磁控共溅射的方法制备成分梯度分布的薄膜样品，薄膜样品要求在横向上成分梯度分布，在纵向上...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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