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一种在半导体材料上制造氧化锌ZnO导电薄膜的方法，包括在二极管上沉积掺杂的ZnO晶种层，其中所述ZnO晶种层形成与所述二极管的电触点；和在所述ZnO晶种层上沉积ZnO层，其中所述ZnO晶种层和所述ZnO层各自具有厚度、晶体质量以及掺杂级，使...
该专利属于加利福尼亚大学董事会所有，仅供学习研究参考，未经过加利福尼亚大学董事会授权不得商用。

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