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具有内场防护有源区的半导体器件制造技术
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下载具有内场防护有源区的半导体器件的技术资料
文档序号:17961551
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一种半导体器件包括由复数个极性单晶半导体材料层形成的层序列,所述复数个极性单晶半导体材料层各自具有指向晶体极性方向和层序列堆叠方向的晶轴。芯层序列由有源区形成,有源区由有源层堆叠体或复数个重复的有源层堆叠体制成。有源层堆叠体具有有源层和在有...
该专利属于柏林工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过柏林工业大学授权不得商用。
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