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文档序号:17961517
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一种二极管包含:半导体衬底;阴极金属层,其接触所述衬底的底部;半导体漂移层,其在所述衬底上;递变氮化铝镓(AlGaN)半导体势垒层,其在所述漂移层上且具有比所述漂移层大的带隙,所述势垒层具有顶表面和在所述漂移层与所述顶表面之间的底表面,所述...
该专利属于HRL实验室有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过HRL实验室有限责任公司授权不得商用。
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