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一种半导体装置，其具有形成有半导体元件的元件区域和配置在元件区域的周围的外周区域，在该半导体装置中，具有：第1导电型的第1半导体区域，其遍及元件区域和外周区域地延伸；以及第2导电型的第2半导体区域，其与第1半导体区域之间构成配置有pn结的超...
该专利属于三垦电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三垦电气株式会社授权不得商用。

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