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提供了一种半导体功率器件(100)和一种制造半导体功率器件的方法。所述半导体功率器件包括：第一衬底(110)、第二衬底(120)、堆叠件(130)和互连结构(140，141)。第一衬底包括第一表面上的第一图案化导电层和开关半导体元件(115...该专利属于敏捷电源开关三维集成APSI3D;IRT圣埃克苏佩里(AESE)所有，仅供学习研究参考，未经过敏捷电源开关三维集成APSI3D;IRT圣埃克苏佩里(AESE)授权不得商用。