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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:17961221
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半导体装置具备:薄膜晶体管,其具有氧化物半导体层;以及配线连接部(201),配线连接部(201)具备:下部导电部(3t),其与栅极电极由同一导电膜形成;绝缘层(15),其具有将下部导电部(3t)的至少一部分露出的接触孔(CH2);以及上部导...
该专利属于夏普株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过夏普株式会社授权不得商用。
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