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本发明公开了一种沟槽型超级结，包括：形成于第一导电类型的第一外延层中的多个沟槽，各沟槽中填充有未将沟槽完全填充的第二导电类型的第二外延层。第一导电类型的第三外延层将沟槽的空隙完全填充。各超级结单元的第二外延层的体积相同，第一外延层和第三外延...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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