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本实用新型公开了一种正装结构的LED芯片，所述衬底上表面设置有外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述P型GaN上设置有ITO导电层，在ITO导电层上设置有导电金属作为P电极；所述外延层通...
该专利属于江门市奥伦德光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江门市奥伦德光电有限公司授权不得商用。

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