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本实用新型公开了一种发光效率高的LED外延结构，包括衬底以及层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂Si的U型GaN层、掺杂Si的N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层，还包括层叠在N型GaN层和有源层之间的V型开角层，V型开角层为由掺In的I...
该专利属于江门市奥伦德光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江门市奥伦德光电有限公司授权不得商用。

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