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本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种肖特基二极管，包括衬底、间隔溅射于衬底顶部的导通金属层；所述导通金属层之间设有缓冲层；缓冲层的上端及导通金属层上端外延有GaN层；GaN层的上端连接有肖特基金属层；衬底下端连接有电极金属层。本实用新...
该专利属于广东瑞森半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东瑞森半导体科技有限公司授权不得商用。

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