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本发明的示例性实施例的半导体器件包括：电流施加区；和布置在电流施加区的端部的端接区。所述端接区包括：布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n‑型层；布置在n‑型层中的p型端接结构；和布置在p型端接结构上，以致与p型端接结构重叠的下栅极流道。...
该专利属于现代自动车株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代自动车株式会社授权不得商用。

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